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10月31日(水)
■エイズ薬と特許権
■新薬開発と特許権
■ビジネスモデル特許
■特許庁
■著作権: 日本語版ファイル交換サービス
■著作権侵害訴訟
■著作権: DRMクラッキングソフト「FreeMe」
■企業機密
■新技術: マイクロソフト,車載用OS発表
10月30日(火)
■Web関連特許
- Webサービス構想に重圧? 無名プログラマーの特許
「Northrup氏の特許は,大手企業の目を引く,魅力的な初期段階の特許の一例になるかもしれない。同氏の特許はシステム間で情報や仕様を送る方法に関するもので,同氏は2001年末までに,さらにこれまでの特許に関連した2件の特許について認可を受ける予定だとしている」(記事より)
- 無名プログラマーの特許が.NETを揺るがす?
「「多くのコンピュータシステムがWebに接続されたサーバに通信し,複数のプラットフォームでソフトを動作させる方法」についての特許」(記事より)
■対象特許
■VIA vs Intel
- VIA,製品を自力で売り込む戦略へ
「VIAが自社ブランドのマザーボードを売り込む決断をしたのは,同社がIntelとの特許訴訟に巻き込まれていることから,ほかのベンダー各社がVIA製チップセットの採用を躊躇していることを示すものだ」(記事より)
■関連トピック
■特許庁: 弁理士試験合格発表
■特許庁: 審査遅延
■著作権: アクティベーション
■著作権: 損害賠償
■著作権: ファイル交換サービス
■ショー紹介
■ネット: 新法案
■新技術
■新サービス
10月29日(月)
■中国: 著作権,商標法改正
■ネット: ロゴ不正使用を監視
■ドメイン
■電子書籍
■フェア
10月28日(日)
■狂牛病と特許権
10月27日(土)
■著作権: Windows XP
10月26日(金)
■特許侵害訴訟: Adobe vs Macromedia
■特許侵害訴訟: デジマーク vs ベランス
■青色LED: 中村氏 vs 日亜化学
■炭疽菌: 独バイエル社の治療薬
■ビジネスモデル特許
■特許庁: 審査遅延
■特許庁
■ドメイン
■新サービス: 使い切りデジカメ
■解説: 個人情報取扱事業者の義務
10月25日(木)
■特許侵害訴訟
■特許紛争: Intel vs VIA
■炭疽菌: 独バイエル社の治療薬
■商標権: 「ういろう」は普通名詞に
■商標権: スマイルマーク訴訟
■ドメイン訴訟: 「j-phone.co.jp」
■著作権:「キャンディ」訴訟
■産学連携
■ロースクール構想
■新製品: WindowsXP 発売
10月24日(水)
■知財情報提供サイト
■TLO: 特許管理ソフトを開発
■ネット:新法案
■新サービス: 電子書籍
10月23日(火)
■炭疽菌: コピー薬と特許権
■特許侵害訴訟: Macromedia vs Adobe
■青色LED訴訟: 中村氏 vs 日亜化学
■著作権:ファービー模倣事件
■著作権:オンライン著作権侵害の防止
■新サービス:使い切りデジカメ
10月22日(月)
■特許侵害訴訟: Macromedia vs Adobe
■VIA vs Intel
■特許庁
■ドメイン: 講演会
■デジタル著作権管理技術(DRM)
10月21日(日)
■炭疽菌,複製薬調達
■医薬品情報をネットで公開
- 医薬品の副作用・価格情報をネットで提供へ 厚労省方針
「薬は、最初に発売された「先発品」と、特許が切れた後にほかの企業が同じ成分で発売する「後発品」があり、後発品の薬価は先発品の4〜8割。患者が、処方された薬と同じ成分で安い薬の方を選びたい場合は、医療機関に申し出ることになる」(記事より)
■歌詞盗用?
10月20日(土)
■特許訴訟
10月19日(金)
■InterTrust vs Microsoft
■特許法等改正:産業構造審議会法制小委員会
■職務発明
■特許庁
■ドメイン
■著作権:BGM使用料徴収
■著作権:電子透かし技術
■著作権:中国
■産学連携
■新サービス
■新技術:有機トランジスタ
10月18日(木)
■W3Cの特許規格
■VIA vs Intel
■マイクロアレイ特許紛争
■特許庁
■新産業創出
■ドメイン:ドメインネーム仲裁
■ドメイン:用語解説
■著作権:違法コピーで提訴
■著作権:海賊ソフト交換サイト
■著作権:違法コピー調査
■個人情報取扱事業者の義務
■新技術:有機トランジスタ
10月17日(水)
■職務発明
■W3Cの特許規格
■青色LED訴訟・豊田合成が日亜化学に損害賠償請求
■ビジネスモデル特許
■商標:W杯サッカー
■商標:名称変更
■著作権:著書要約文の配信
■著作権:データベースの保護
■著作権:ファイル交換サービス
■著作権:BSデジタル放送で著作権保護
10月16日(火)
■味の素,利益上方修正
■職務発明
■商標
■海賊版ソフト販売
■音楽ネット配信
■プロバイダー責任
10月15日(月)
■青色LED訴訟・豊田合成が日亜化学に損害賠償請求
■青色LED訴訟・豊田合成が審決取り消し訴訟で勝訴
■W3Cの特許規格
■VIA vs Intel
■炭疽菌ワクチン
■特許庁
■ドメイン
■違法コピー
■著作権侵害
■音楽ネット配信
■青色レーザーを使った光ディスク
10月13日(土)
■W3Cの特許規格
■ビジネスモデル特許
10月12日(金)
■炭疽菌治療薬
■ELSがAppleを提訴
■青色LED・審決取り消し訴訟 判決文
■輸入部品で偽ブランドの時計を製造
■偽ブランドをネットオークションで販売
■「風と共に去りぬ」著作権侵害訴訟
■Napster訴訟
■音楽ネット配信
■デザイン盗用
■著作権解説
■江崎玲於奈氏講演
■ライセンス管理ソフト
■セミナー
■新技術・家電のインターフェース
■新サービス・インターネット電話
10月11日(木)
■Intel,VIAを提訴
■青色LED・審決取り消し訴訟
■花王,毛穴汚れとりシートで提訴
■ファービー模倣品裁判
■Napster以外のファイル交換サービスの利用者が急増
■個人情報取扱事業者の義務
10月10日(水)
■祝受賞
■青色LED・審決取り消し訴訟
■Xerox vs Palm 手書き認識特許訴訟
■特許取得
■ファービー模倣品裁判
■雑誌写真CD-ROM転載
■マイクロソフト,アクティベーション
■音楽ネット配信
10月9日(火)
■青色LED・審決取り消し訴訟
■Xerox vs Palm 手書き認識特許訴訟
■発明報奨制度
■再利用デジカメでビジネスモデル特許
■特許庁
■NRIサイバーパテント
■ファービー模倣無罪判決に控訴
■著作権・商標権
■音楽ネット配信
■Napster訴訟
10月8日(月)
■シンポジウム紹介
- 「ビジネスモデル特許の是非を問う」
- 主催:国士舘大学法学部 最先端技術関連法研究所
- 対象:知的財産権研究家,実務家,経営者,大学院生,学生,その他一般の方
- 詳細は同研究所のホームページをご覧下さい
10月7日(日)
■ネット,法改正
■ドメイン紛争
10月6日(土)
■著作権を担保に融資
- 富士銀、著作権担保に融資
第一弾として人気音楽プロデューサーの小室哲哉氏に対し、同氏の音楽著作権を担保に約10億円を貸し出す(記事より)
10月5日(金)
■PVR特許訴訟
■W3Cの特許規格
■知財フォーラム
■NRIサイバーパテント
■小泉キャラ無断使用
■写真無断転載
■企業機密漏えい
■新技術
10月4日(木)
■三輪車特許侵害
■PVR特許
■特許庁
■米音楽・映画業界がファイル交換サービスを提訴
■ソフトウエア違法コピー
■IT関連誌創刊
■個人情報
■青色LED
■ネット
10月3日(水)
■日亜化学の特許に無効判決
- 日亜化学の特許に無効判決・東京高裁
- 「株式」豊田合成(7282)−個別銘柄ショート・コメント
- 豊田合成が日亜化学に勝訴 LED特許をめぐって(2001/10/2)
- 特許訴訟:青色LED特許訴訟で豊田合成が勝訴 東京高裁(2001/10/2)
- 日亜化学の特許、また「無効」=青色発光ダイオードめぐり−東京高裁(2001/10/2)
■判決文
■豊田合成のニュースリリース
■対象特許
【特許番号】第2778405号
【登録日】平成10年(1998)5月8日
【発明の名称】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
【請求項の数】4 【全頁数】5
【出願番号】特願平5−79046
【出願日】平成5年(1993)3月12日
【早期審査対象出願】早期審査対象出願
【特許権者】
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
【発明者】
【氏名】中村 修二
【特許請求の範囲】
【請求項1】 p−n接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型Ga1-XAlXN(但し、Xは0<X<0.5)クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Mgがドープされたp型GaNコンタクト層を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項2】 前記p型Ga1-XAlXNクラッド層の膜厚は10オングストローム以上、0.2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項3】 前記p型GaNコンタクト層の膜厚は10オングストローム以上、0.5μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項4】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、n型Ga1-YAlYNクラッド層(但し、Yは0<Y<1)と、n型InZGa1-ZN活性層(但し、Zは0<Z<1)とが順に積層されており、そのn型InZGa1-ZN活性層の上に、前記p型Ga1-XAlXNクラッド層が積層されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
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■関連トピック
■W3Cの特許規格
■ビジネスモデル特許
■特許庁
■デジタル著作権管理
■コピー防止機能付きCD
■日本テクノマート
■新技術 表示装置
■音楽ネット配信
10月2日(火)
■W3Cの特許規格
■特許庁
■燃料電池
■タイプミスドメイン悪用
■CEATEC JAPAN
10月1日(月)
■ポケベル特許侵害訴訟
■CSP特許侵害訴訟
■職務発明規定モデル
■VIAの話題のチップセットが市場に
■偽ヴィトン
■日本語ドメイン
■ファイル交換サービス
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